科学技術と共に歩む

1.　ドライプロセスとプラズマ
1.1　表面処理
1.2　ドライプロセスと真空
　1.2.1　真空，真空を作る装置，種別と発展史概要
　1.2.2　真空蒸着の発展史概要
1.3　PVD，CVD とプラズマとのかかわり
　1.3.1　気体放電によるプラズマ発生法発展の概要史とプラズマの分類
　1.3.2　近年における各種プラズマ発生法の開発と得られるプラズマの違い
　1.3.3　PVD と非平衡プラズマ
　1.3.4　CVD とプラズマCVD
　1.3.5　プラズマからの活性種と表面の反応，改質層の形成
　1.3.6　熱プラズマによる成膜法
1.4　まとめ

2.　真空およびプラズマ
2.1　真空
　2.1.1　気体圧力と真空
　2.1.2　真空装置
　2.1.3　平均自由行程と表面入射流束
2.2　プラズマ
　2.2.1　プラズマとは
　2.2.2　プラズマ生成法
　2.2.3　プラズマ物理の基礎
　2.2.4　プラズマ反応素過程
2.3　プラズマ診断
　2.3.1　プローブ法
　2.3.2　発光分光法
　2.3.3　質量分析法

3.　ドライプロセスによる表面処理と薄膜形成
3.1　真空蒸着
　3.1.1　真空蒸着が利用する物理現象
　3.1.2　真空蒸着の原理
　3.1.3　真空蒸着装置の蒸発源
　3.1.4　蒸着による薄膜の特徴
3.2　イオンプレーティング
　3.2.1　イオンプレーティングの原理
　3.2.2　イオンプレーティングの特徴
　3.2.3　イオンプレーティングの種類
　3.2.4　反応性イオンプレーティング
　3.2.5　イオンプレーティングによるハイブリッド膜形成
　3.2.6　イオンプレーティングで得られる膜構造
3.3　スパッタリング法
　3.3.1　スパッタリング現象とスパッタリングによる薄膜堆積
　3.3.2　スパッタリング率とスパッタリングにより発生した粒子エネルギー
　3.3.3　スパッタリング法により堆積された薄膜の持つ構造的な特徴
　3.3.4　スパッタリング装置の概要
　3.3.5　種々のスパッタリング法
　3.3.6　反応性スパッタリング法
3.4　ドライエッチング
　3.4.1　イオンエッチング
　3.4.2　イオンビームエッチング
　3.4.3　反応性イオンエッチング
3.5　イオン注入法
　3.5.1　概要
　3.5.2　イオン注入理論
　3.5.3　スパッタリング理論
　3.5.4　イオン注入装置
　3.5.5　イオン注入関連技術
　3.5.6　イオン注入の応用
3.6　 CVD
　3.6.1　CVDの具体例
　3.6.2　CVD反応と得られる皮膜の種類
　3.6.3　CVDの種類
　3.6.4　CVD装置
　3.6.5　CVD試薬
　3.6.6　基板
　3.6.7　CVD反応のパラメータ
　3.6.8　CVD反応と核形成
　3.6.9　CVD反応の解析と析出の監視システム
　3.6.10　まとめ
3.7　プラズマ浸漬イオン注入
3.8　プラズマ窒化・浸炭
　3.8.1　プラズマ窒化
　3.8.2　プラズマ浸炭

4.　分析と評価
4.1　膜厚測定
　4.1.1　膜厚の定義
　4.1.2　機械的な膜厚測定
　4.1.3　光学的な膜厚測定
4.2　表面分析
　4.2.1　電子顕微鏡
　4.2.2　走査型プローブ顕微鏡
　4.2.3　2次イオン質量分析法
4.3　密着性評価
　4.3.1　界面の力学
　4.3.2　界面の微視的構造
　4.3.3　付着損傷の形態
　4.3.4　密着性の力学的測定方法
　4.3.5　押込みおよびスクラッチ試験の力学
4.4　薄膜の内部応力
　4.4.1　薄膜の力学
　4.4.2　基板の変形から求める内部応力
　4.4.3　格子ひずみから求める内部応力
　4.4.4　真性内部応力と熱応力
4.5　薄膜の摩擦・摩耗評価と硬度測定
　4.5.1　摩擦
　4.5.2　摩耗
　4.5.3　硬質膜の摩擦・摩耗特性
　4.5.4　ナノインデンテーション
4.6　ぬれ性・はっ水性評価
　4.6.1　接触角
　4.6.2　表面自由エネルギー
　4.6.3　動的接触角
　4.6.4　接触角ヒステリシスと滑落角

引用・参考文献
索引