科学技術と共に歩む

1　半導体工業の歴史と集積回路
1.1　半導体工業の歴史
1.2　集積回路の本質とその生れる必然性
2　集積回路の種類
2.1　高密度実装回路
2.2　集積回路
2.3　SOC技術とSIP技術
3　モノリシック集積回路のあらまし
3.1　モノリシックICの構造概要
　　3.1.1　バイポーラICの構造
　　3.1.2　MOS-ICの構造
　　3.1.3　CMOS-ICとBi-CMOS-ICの構造
3.2　モノリシックICの製造方法の概要
　　3.2.1　バイポーラICのプロセスの概要
　　3.2.2　MOS-ICのプロセスの概要
3.3　モノリシックICの断面構造の詳細
　　　　　演習問題
4　pn接合とMOS構造
4.1　基本構造としてのpn接合とMOS構造
4.2　pn接合とその形成
4.3　pn接合の特性
　　4.3.1　空乏層の広がり
　　4.3.2　空乏層の接合容量
　　4.3.3　pn接合を流れる電流と整流特性
　　4.3.4　耐圧特性および降伏電圧
4.4　pn接合とバイポーラトランジスタ
4.5　MOS構造とその形成
4.6　MOS構造の特性
　　4.6.1　電圧印加時の表面電位のふるまい
　　4.6.2　MOS容量のC-V特性としきい値電圧
　　4.6.3　チャネルの形成とチャネルコンダクタンス
4.7　MOSトランジスタ
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題
5　半導体モノリシックICの製造技術
5.1　はじめに
5.2　シリコン単結晶とウェーハ
　　5.2.1　シリコンの性質
　　5.2.2　シリコンウェーハの作製
5.3　酸化と酸化膜の性質
　　5.3.1　酸化膜の形成法と酸化速度
　　5.3.2　酸化膜の性質
　　5.3.3　熱酸化による表面形状の変化（段差）
5.4　ホトレジスト加工
　　5.4.1　ホトレジスト材料
　　5.4.2　ホトレジスト加工の手順
　　5.4.3　ホトレジスト加工の精度
　　5.4.4　微細加工とドライプロセス
5.5　熱拡散とイオン打込み
　　5.5.1　不純物元素のドーピング
　　5.5.2　熱拡散の方法
　　5.5.3　熱拡散の理論
　　5.5.4　拡散技術の応用
　　5.5.5　イオン打込み（イオン注入）
5.6　エピタキシャル成長とCVD技術
　　5.6.1　エピタキシャル成長法
　　5.6.2　エピタキシャル成長の応用と問題点
　　5.6.3　ケミカルベーパデポジション（CVD）
5.7　金属膜の形成と配線技術
　　5.7.1　配線工程と配線材料
　　5.7.2　真空蒸着とスパッタリングの装置
　　5.7.3　多層配線技術とCMP技術
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題
6　半導体モノリシックICの構成素子
6.1　アイソレーションとプレーナ構造
6.2　モノリシック抵抗
　　6.2.1　構造と特性
　　6.2.2　パターン設計と抵抗値の精度
　　6.2.3　寄生素子の周波数特性
　　6.2.4　モノリシック抵抗のその他の形
6.3　モノリシック・コンデンサ
　　6.3.1　構造と特性
　　6.3.2　パターン設計と容量値
　　6.3.3　寄生素子
6.4　配線およびインダクタンス
　　6.4.1　配線とその特性
　　6.4.2　インダクタンス
6.5　MOSトランジスタ
　　6.5.1　構造と特性
　　6.5.2　パターン設計とホトマスク
　　6.5.3　プロセス設計としきい値電圧
　　6.5.4　寄生素子およびその他の効果
　　6.5.5　MOSトランジスタの種々の構造
6.6　バイポーラトランジスタ
　　6.6.1　構造と特性
　　6.6.2　パターン設計とホトマスク
　　6.6.3　寄生素子とその影響
　　6.6.4　pnpトランジスタ
6.7　モノリシックダイオード
　　6.7.1　モノリシックダイオードの種類
　　6.7.2　モノリシックダイオードの特性
　　6.7.3　ツェナーダイオード
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題
7　半導体モノリシックICのパターン設計
7.1　モノリシック集積回路の構成
7.2　レイアウト設計とその手順
7.3　回路パターンのICチップ上への転写技術
　　7.3.1　マスク原図の製作と転写プロセス
　　7.3.2　転写技術の精度
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題
　
参考文献
演習問題解答