科学技術と共に歩む

8　モノリシックICの回路技術の基礎

　8.1　モノリシックICの特色
　8.2　モノリシックIC部品の特色とその活用法
　　8.2.1　部品特性のバラツキと整合性
　　8.2.2　温度係数と等温化
　　8.2.3　部品のコストと作りやすい部品
　8.3　モノリシックICの回路設計上の要点
　8.4　回路解析の手法と回路シミュレーション
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題


9　バイポーラ・アナログICの回路技術

　9.1　アナログIC回路の問題点
　9.2　基本的なアナログIC回路
　　9.2.1　回路解析のためのトランジスタモデル
　　9.2.2　バイアス回路（定電流回路と定電圧回路，BGR基準電圧回路）
　　9.2.3　リニア増幅回路・差動増幅回路（小信号増幅）
　　9.2.4　レベルシフト回路
　　9.2.5　電力増幅回路（大振幅増幅）
　　9.2.6　掛算回路と非線形演算回路
　　9.2.7　高周波低雑音増幅回路
　9.3　IC演算増幅器の回路技術
　9.4　A/D変換器・D/A変換器の回路技術
　　9.4.1　A/D変換器
　　9.4.2　D/A変換器
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題


10　バイポーラ・ディジタルICの回路技術

　10.1　ディジタル演算とディジタルIC
　10.2　ディジタルIC回路の基本的な問題点
　10.3　基本的なバイポーラディジタルIC回路
　　10.3.1　ダイオード論理とインバータ
　　10.3.2　トランジスタによる論理とワイヤードロジック
　　10.3.3　バイポーラ・インバータ回路の動作
　　10.3.4　DTLとその関連回路
　　10.3.5　TTLとその特性
　　10.3.6　ECLとその特性
　　10.3.7　IILとその特性
　　　　　演習問題


11　MOS-IC/LSIの回路（ディジタルおよびアナログ）技術

　11.1　MOS集積回路の位置づけと特色
　11.2　MOS-FETの回路モデルとMOS回路方式
　　11.2.1　MOS-FETの種類と動作モード
　　11.2.2　MOS-FETの回路モデル
　　11.2.3　MOS回路方式の基礎
　　11.2.4　スタティック回路とダイナミック回路
　11.3　基本インバータ回路の特性
　　11.3.1　MOSインバータの直流特性
　　11.3.2　MOSインバータのスイッチング特性
　11.4　MOSディジタル回路
　　11.4.1　ED構成のMOSインバータ回路
　　11.4.2　C-MOS構成のインバータ
　　11.4.3　Bi-CMOS構成のインバータ
　　11.4.4　ダイナミック構成のインバータとシフトレジスタ
　　11.4.5　メモリ回路
　11.5　MOSアナログ回路
　　11.5.1　MOS-FETのアナログ回路モデル
　　11.5.2　基本的なアナログMOS回路
　　11.5.3　MOS演算増幅器
　　11.5.4　フィルタ回路
　　11.5.5　A/D変換回路とD/A変換回路
　　11.5.6　無線通信回路
　11.6　MOS回路のレイアウトと保護回路
　　11.6.1　MOS回路のレイアウト
　　11.6.2　寄生MOSトランジスタとゲート保護回路
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題


12　大規模集積化技術（LSI，超LSI）

　12.1　経済性の追求と大規模集積化
　　12.1.1　集積回路と経済性
　　12.1.2　LSI化を支える技術とその問題点
　12.2　LSIの歩留りと最適集積度（製造技術の高度化）
　12.3　LSIとCAD技術（設計技術の高度化）
　12.4　LSIのデバイス技術の高度化
　12.5　LSIの回路，システム技術の高度化
　12.6　総合技術としてのLSI
　　　　　補足事項
　　　　　演習問題
演習問題解答
索引