電気・電子材料デバイス実験

電気・電子材料デバイス実験

上記委員会が編集した大学教育用実験書である。今日最も社会から要求されている集積回路,MOSダイオードなどの製作技術の実験を,平易かつ丁寧に記述した。

ジャンル
発行年月日
1980/04/15
判型
A5 上製/箱入り
ページ数
312ページ
ISBN
978-4-339-00424-3
電気・電子材料デバイス実験
在庫あり・カバーなし

定価

6,050(本体5,500円+税)

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上記委員会が編集した大学教育用実験書である。今日最も社会から要求されている集積回路,MOSダイオードなどの製作技術の実験を,平易かつ丁寧に記述した。

1. 実験を始める前に
 1-1 安全性に関する注意ー事故をおこさないためにー
  1-1-1 薬品を取り扱う際の注意
  1-1-2 高圧ボンベおよび減圧弁を取り扱う際の注意
  1-1-3 液体窒素を取り扱う際の注意
  1-1-4 電磁石を取り扱う際の注意
  1-1-5 電気炉を取り扱う際の注意
 1-2 共通機器の扱い方
  1-2-1 ガスボンベおよび減圧弁の操作手順
  1-2-2 イオン交換機の使い方
 1-3 技術的な注意と共通技術
  1-3-1 機器や材料などの純度
  1-3-2 反応管や容器の処理
  1-3-3 半導体ウェーハの前処理
  1-3-4 角度研摩の方法
  1-3-5 ステインエッチング
  1-3-6 半導体へのオーム性電極形成
 1-4 指導者の方々へ
  1-4-1 安全対策
  1-4-2 経費の問題と材料および機器の入手法
  1-4-3 電気炉の作成法
  1-4-4 反応系のガス配管の方法
  1-4-5 クライオスタットの準備
  1-4-6 反応管などの洗浄容器
  1-4-7 反応管の種類と設計
2. 材料作成技術
 2-1 結晶成長(西永頌)
  2-1-1 ゲルマニウムの気相エピタキシアル成長
  2-1-2 GaAsの液相エピタキシアル成長
  2-1-3 シリコンの気相エピタキシアル成長
 2-2 真空蒸着(菅野卓雄)
 2-3 低気圧放電・プラズマ・スパッタ技術(渡辺英夫・針正尚)
3. 物性測定
 3-1 半導体のホール効果(菅原昌敬)
 3-2 半導体の光学的性質(中井順吉)
 3-3 半導体中の少数キャリヤのライフタイムおよびドリフト移動度(菅原昌敬)
 3-4 誘電体(直江雅彦)
 3-5 磁性体(直江雅彦)
 3-6 ルミネセンス(伊藤貞夫)
 3-7 熱電子放出および熱電子管(菅野卓雄)
4. デバイス製作技術
 4-1 pn接合の製作(松波弘之)
 4-2 MOSデバイスの製作
  4-2-1 MOSダイオードの製作(菅野卓雄)
  4-2-2 MOS集積回路の製作(庄野克房)
5. デバイス特性の測定
 5-1 pn接合およびバイポーラトランジスタ(更家淳司・松波弘之)
  5-1-1 pn接合の特性
  5-1-2 バイポーラトランジスタの特性
 5-2 MOSデバイス
  5-2-1 MOSダイオード(菅野卓雄)
  5-2-2 MOS電界効果トランジスタ(菅野卓雄)
  5-2-3 MOS集積回路(庄野克房)
 5-3 レーザ(中井順吉)
 5-4 水遺跡回路(永田穣)
 5-5 電気音響変換デバイス(渡辺英夫・針生尚)
 5-6 マイクロ波発生デバイスーガン効果を中心としてー(西永頌)
6. 集積回路の使い方
 6-1 アナログICの使い方(永田穣)
 6-2 ディジタルICの使い方(佐藤耐・武石喜幸)
 6-3 LSIの使い方(佐藤耐・武石喜幸)
索引

材料・デバイス実験教育調査専門委員会(ザイリョウデバイスジッケンキョウイクチョウサセンモンイインカイ)

伊藤 貞夫(イトウ サダオ)

河東田 隆(カワトウダ タカシ)

佐藤 耐(サトウ タイ)

更家 淳司(サライエ アツシ)

庄野 克房(ショウノ カツフサ)

菅野 卓雄(スガノ タクオ)

菅原 昌敬(スガワラ マサケイ)

武石 喜幸(タケイシ ノブユキ)

直江 正彦(ナオエ マサヒコ)

中井 順吉(ナカイ ジュンキチ)

永田 穰(ナガタ ミノル)

西永 頌(ニシナガ タダウ)

針生 尚(ハリブ ナオ)

松波 弘之(マツナミ ヒロユキ)

渡辺 英夫(ワタナベ ヒデオ)