科学技術と共に歩む

1.　実験を始める前に
　1-1　安全性に関する注意ー事故をおこさないためにー
　　1-1-1　薬品を取り扱う際の注意
　　1-1-2　高圧ボンベおよび減圧弁を取り扱う際の注意
　　1-1-3　液体窒素を取り扱う際の注意
　　1-1-4　電磁石を取り扱う際の注意
　　1-1-5　電気炉を取り扱う際の注意
　1-2　共通機器の扱い方
　　1-2-1　ガスボンベおよび減圧弁の操作手順
　　1-2-2　イオン交換機の使い方
　1-3　技術的な注意と共通技術
　　1-3-1　機器や材料などの純度
　　1-3-2　反応管や容器の処理
　　1-3-3　半導体ウェーハの前処理
　　1-3-4　角度研摩の方法
　　1-3-5　ステインエッチング
　　1-3-6　半導体へのオーム性電極形成
　1-4　指導者の方々へ
　　1-4-1　安全対策
　　1-4-2　経費の問題と材料および機器の入手法
　　1-4-3　電気炉の作成法
　　1-4-4　反応系のガス配管の方法
　　1-4-5　クライオスタットの準備
　　1-4-6　反応管などの洗浄容器
　　1-4-7　反応管の種類と設計
2.　材料作成技術
　2-1　結晶成長（西永頌）
　　2-1-1　ゲルマニウムの気相エピタキシアル成長
　　2-1-2　GaAsの液相エピタキシアル成長
　　2-1-3　シリコンの気相エピタキシアル成長
　2-2　真空蒸着（菅野卓雄）
　2-3　低気圧放電・プラズマ・スパッタ技術（渡辺英夫・針正尚）
3.　物性測定
　3-1　半導体のホール効果（菅原昌敬）
　3-2　半導体の光学的性質（中井順吉）
　3-3　半導体中の少数キャリヤのライフタイムおよびドリフト移動度（菅原昌敬）
　3-4　誘電体（直江雅彦）
　3-5　磁性体（直江雅彦）
　3-6　ルミネセンス（伊藤貞夫）
　3-7　熱電子放出および熱電子管（菅野卓雄）
4.　デバイス製作技術
　4-1　pn接合の製作（松波弘之）
　4-2　MOSデバイスの製作
　　4-2-1　MOSダイオードの製作（菅野卓雄）
　　4-2-2　MOS集積回路の製作（庄野克房）
5.　デバイス特性の測定
　5-1　pn接合およびバイポーラトランジスタ（更家淳司・松波弘之）
　　5-1-1　pn接合の特性
　　5-1-2　バイポーラトランジスタの特性
　5-2　MOSデバイス
　　5-2-1　MOSダイオード（菅野卓雄）
　　5-2-2　MOS電界効果トランジスタ（菅野卓雄）
　　5-2-3　MOS集積回路（庄野克房）
　5-3　レーザ（中井順吉）
　5-4　水遺跡回路（永田穣）
　5-5　電気音響変換デバイス（渡辺英夫・針生尚）
　5-6　マイクロ波発生デバイスーガン効果を中心としてー（西永頌）
6.　集積回路の使い方
　6-1　アナログICの使い方（永田穣）
　6-2　ディジタルICの使い方（佐藤耐・武石喜幸）
　6-3　LSIの使い方（佐藤耐・武石喜幸）
索引