科学技術と共に歩む

1.　表面状態分析法
　1・1　表面構造と低エネルギー電子解折(LEED)　（塙輝雄）
　　1・1・1　はじめに
　　1・1・2　LEEDの原理と実験法
　　1・1・3　LEEDの解釈
　　1・1・4　半導体の表面構造
　1・2　走査形電子顕微鏡(SEM)による表面の構造分析　（米津宏雄）　
　　1・2・1　はじめに
　　1・2・2　SEMの原理と構造
　　1・2・3　二次電子像の分解能
　　1・2・4　二次電子像のコントラスト
　　1・2・5　SEMにおいて得られる二次電子以外の物性情報
　　1・2・6　SEMの補足的手段としての微分干渉顕微鏡の原理と構造
　　1・2・7　微分干渉顕微鏡の特徴と表面構造観察
　1・3　オージェ電子分光法（AES)による表面文責（成沢忠・小宮宗治）
　　1・3・1　はじめに
　　1・3・2　AESの基礎（原理・装置・測定法等）
　　1・3・3　AESの表面分祈への応用
　1・4　光電子分光法（XPSとUPS）による表面分祈(池田重良）
　　1・4・1　はじめに
　　1・4・2　装置および測定法
　　1・4・3　固体表面からの光電子の放出
　　1・4・4　光電子の結合エネルギー,内殻電子の化学シフト
　　1・4・5　表面層の光電子スペクトル
　　1・4・6　価電子帯の光電子スペクトル
　　1・4・7　表面反応の解祈
　1・5　イオン後方散乱法（BS)による表面分祈（平木昭夫）
　　1・5・1　はじめに
　　1・5・2　後方散乱法（BS)の原理
　　1・5・3　BSによる表面層分祈例
　　1・5・4　BSのもつ欠点と限界
　1・6　二次イオン質量分祈法(SIMS)による表面分祈（田村一二三）
　　1・6・1　はじめに
　　1・6・2　SIMSの測定装置
　　1・6・3　SIMSの定量分祈法
　　1・6・4　表面層の深さ方向分祈
　　1・6・5　SIMSの表面層分祈への応用
2.　表面の弾性的性質
　2・1　弾性表面波
　　2・1・1　序論
　　2・1・2　表面波の伝搬特性
　　2・1・3　表面波の発生と検出
　　2・1・4　表面波の伝搬用材料
　　2・1・5　表面波の減衰と増幅
　　2・1・6　表面波とキャリヤの非線形相互作用
　　2・1・7　表面波の応用
　2・2　サーフォンとMOS反転層
　　2・2・1　フォノンと固体表面
　　2・2・2　弾性波の場の量子化
　　2・2・3　自由表面をもつ半無限固体の場合
　　2・2・4　サフォン場の相関関数（高温）
　　2・2・5　異方性弾性体の等方近似
　　2・2・6　光学形のフォノン
　　2・2・7　シリコン表面反転層における電子の状態
　　2・2・8　サーフォンと電子の相互作用,谷内遷移
　　2・2・9　谷内遷移の振幅
　　2・2・10　反転層における電子移動度（高温）
　　2・2・11　実験との比較　　
　　2・2・12　反転層における電子移動度（低温）
3.　表面の量子状態
　3・1　仕事関係（大坂之雄）
　3・2　表面準位（飯塚哲哉）
　　3・2・1　序論
　　3・2・2　半導体自由表面に存在する表面準位
　　3・2・3　半導体・絶縁体界面に局在する表面準位
　3・3　表面量子化（前田甫）
　　3・3・1　序論
　　3・3・2　MOS反転層内キャリヤの有効質量理論
　　3・3・3　Si MOS反転層中の電子
　　3・3・4　Si MOS反転層中の正孔
　　3・3・5　垂直磁界下反転層中の電子の伝導
　　3・3・6　最近の諸問題ー多体効果など
4.　表面における電気伝導現象
　4・1　半導体表面に沿う電気伝導（榊裕之）
　　4・1・1　表面空間電荷層中での電荷分布と電子状態
　　4・1・2　電気伝導とキャリヤ散乱の理論
　　4・1・3　キャリヤ移動度の諸性質とその解釈
　　4・1・4　表面での電流磁気効果・ひずみ抵抗効果・光伝導
　4・2　表面に垂直な伝導現象（広瀬全孝）
　　4・2・1　ショットキーバリヤの障壁の高さ
　　4・2・2　ショットキーバリアヤの障壁容量
　　4・2・3　ショットキーバリアヤの電流電圧特性
　　4・2・4　ショットキーバリヤに関する実験
5.　表面の光学的性質
　5・1　表面プラズモン・表面ポラリトン（御子柴宣夫・森田清三）
　　5・1・1　序論
　　5・1・2　平面的境界に局在した電磁気的素励起
　　5・1・3　表面プラズモン・表面ポラリトンの分散関係
　　5・1・4　表面プラズモン・表面ポラリトンの光吸収による実験
　5・2　光集積回路（御子柴宣夫・佐々木博）
　　5・2・1　序論
　　5・2・2　光導波路
　　5・2・3　光集積回路への光結合法
　　5・2・4　光導波路用材料と光導波路作成法
　　5・2・5　光集積回路素子　　
　　5・2・6　集積レーザ（薄膜レーザ）
6.　表面処理技術とMOSデバイス
　6・1　ウェハの加工（池田正幸）
　　6・1・1　加工工程
　　6・1・2　微小破壊を主体とした加工
　　6・1・3　微小塑性変形を主体とした加工
　　6・1・4　加工面の評価
　6・2　化学エッチング（羽田祐一）　
　　6・2・1　化学エッチング
　　6・2・2　気相エッチング
　　6・2・3　ガスプラズマエッチング
　6・3　MOSデバイス（管野卓雄）
　　6・3・1　MOSダイオード
　　6・3・2　MOS電解効果トランジスタ
　引用文献
　索引