科学技術と共に歩む

8.　モノリシックICの回路技術の基礎
8.1　モノリシックICの特色
8.2　モノリシックIC部品の特色とその活用法
　　8.2.1　部品特性のバラツキと整合性
　　8.2.2　温度係数と等温化
　　8.2.3　部品のコストと作りやすい部品
8.3　モノリシックICの回路設計上の要点
8.4　回路解析の手法と回路シミュレーション
（補足事項1）集積回路部品のバラツキと整合性の実例
演習問題
9.　アナログICの回路技術
9.1　アナログIC回路の問題点
9.2　基本的なアナログIC回路
　　9.2.1　回路解析のためのトランジスタモデル
　　9.2.2　バイアス回路（定電流回路と定電圧回路）
　　9.2.3　リニア増幅回路（小信号増幅）
　　9.2.4　レベルシフト回路
　　9.2.5　電力増幅回路（大振幅増幅）
　　9.2.6　掛算回路
9.3　IC演算増幅器の回路技術
9.4　A／D変換器・D／A変換器の回路技術
　　9.4.1　A／D変換器
　　9.4.2　D／A変換器
（補足事項1）バイポーラトランジスタの回路解析用モデル
（補足事項2）リニア増幅回路の設計上の注意点
（補足事項3）掛算回路の応用例
演習問題
10.　ディジタルICの回路技術
10.1　ディジタル演算とディジタルIC
10.2　ディジタルIC回路の基本的な問題点
10.3　基本的バイポーラディジタルIC回路
　　10.3.1　ダイオード論理とインバータ
　　10.3.2　トランジスタによる論理とワイヤードロジック
　　10.3.3　インバータ回路の動作
　　10.3.4　DTLとその関連回路
　　10.3.5　TTLとその特性
　　10.3.6　ECLとその特性
　　10.3.7　IILとその特性
演習問題
11.　MOS-IC／LSIの回路技術
11.1　MOS集積回路の位置づけと特色
11.2　MOS-FETの回路モデルとMOS回路方式
　　11.2.1　MOS-FETの種類と動作モード
　　11.2.2　MOS-FETの回路モデル
　　11.2.3　MOS回路方式
　　11.2.4　スタティック回路とダイナミック回路
11.3　基本インバータ回路の特性
　　11.3.1　MOSインバータの直流特性
　　11.3.2　MOSインバータのスイッチング特性
11.4　MOSディジタル回路
　　11.4.1　ED構成のMOSインバータ回路
　　11.4.2　C-MOS構成のインバータ
　　11.4.3　Bi-CMOS構成のインバータ
　　11.4.4　ダイナミック回路とシフトレジスタ
　　11.4.5　メモリ回路
11.5　MOSアナログ回路
　　11.5.1　MOS-FETのアナログ回路モデル
　　11.5.2　基本的なアナログMOS回路
　　11.5.3　MOS演算増幅器
　　11.5.4　スイッチトキャパシタフィルタ回路
　　11.5.5　A／D変換，D／A変換
11.6　MOS回路のレイアウトと保護回路
　　11.6.1　MOS回路のレイアウト
　　11.6.2　寄生MOSトランジスタとゲート保護回路
（補足事項1）MOSトランジスタの回路シミュレーションモデルとパラメータ抽出法
（補足事項2）1～4MビットクラスDRAM回路
（補足事項3）MOSトランジスタの雑音
演習問題
12.　LSI技術
12.1　経済性の追求と大規模集積化
　　12.1.1　集積回路と経済性
　　12.1.2　LSI化を支える技術の問題点
12.2　LSIの設計方式
12.3　LSIの歩どまりと最適集積度
12.4　LSIとCAD技術
12.5　LSIのデバイス技術
12.6　総合技術としてのLSI
演習問題
演習問題解答
参考文献
索引