科学技術と共に歩む

1.　半導体工業の歴史と集積回路
1.1　半導体工業の歴史
1.2　集積回路の本質とその生まれる必然性
2.　集積回路の種類
2.1　高密度実装回路
2.2　集積回路
2.3　機能デバイス
3.　モノリシック集積回路のあらまし
3.1　モノリシックICの構造概要
　　3.1.1　バイポーラICの構造
　　3.1.2　MOS-ICの構造
3.2　モノリシックICの製造方法の概要
　　3.2.1　バイポーラICのプロセス概要
　　3.2.2　MOS-ICのプロセスの概要
3.3　モノリシックICの断面構造の詳細
演習問題
4.　pn接合とMOS構造
4.1　基本構造としてのpn接合とMOS構造
4.2　pn接合とその形式
4.3　pn接合の特性
　　4.3.1　空乏層の広がり
　　4.3.2　接合容量
　　4.3.3　整流特性
　　4.3.4　耐圧特性および降伏電圧
4.4　pn接合とバイポーラトランジスタ
4.5　MOS構造とその形成
4.6　MOS構造の特性
　　4.6.1　電圧印加時の表面電位のふるまい
　　4.6.2　MOS容量のC-V特性としきい値電圧
　　4.6.3　チャネルの形成とチャネルコンダクタンス
4.7　MOSトランジスタ
補足事項
演習問題
5.　半導体モノリシックICの製造技術
5.1　シリコン単結晶とウェーハ
　　5.1.1　シリコンの性質
　　5.1.2　シリコンウェーハの作製
5.2　酸化と.2　蒸着装置と蒸着法
演習問題
6.　半導体モノリシックICの構成素子
6.1　アイソレーションとプレーナ構造
6.2　モノリシック抵抗
　　6.2.1　構造と特性
　　6.2.2　パターン設計と抵抗値の精度
　　6.2.3　寄生素子と周波数特性
　　6.2.4　モノリシック抵抗のその他の形
6.3　モノリシックコンデンサ
　　6.3.1　構造と特性
　　6.3.2　パターン設計と容量値
　　6.3.3　寄生素子
6.4　配線および交差点
6.5　MOSトランジスタ
　　6.5.1　構造と特性
　　6.5.2　パターン設計とホトマスク
　　6.5.3　寄生素子
　　6.5.4　MOSトランジスタの種々の構造
6.6　バイポーラトランジスタ
　　6.6.1　構造と特性
　　6.6.2　パターン設計とホトマクス
　　6.6.3　寄生素子とその影響
　　6.6.4　pnpトランジスタ
6.7　モノリシックダイオード
　　6.7.1　モノリシックダイオードの種類
　　6.7.2　モノリシックダイオードの特性
演習問題
7.　半導体モノリシックICのパターン設計
7.1　モノリシック集積回路の構成
7.2　レイアウト設計とその手順
7.3　ホトマスクと写真技術
（補足事項）ICレイアウト技術
演習問題
演習問題解答
参考文献
索引