薄膜トランジスタ

薄膜トランジスタ

液晶テレビ,パソコン,携帯電話などのディスプレイ素子として近年発展目覚しい薄膜トランジスタ(TFT)の解説書。非晶質・多結晶シリコン,酸化物,有機によるTFTの原理,作製,評価を中心に,応用,将来にもふれる。

ジャンル
発行年月日
2008/11/21
判型
A5
ページ数
240ページ
ISBN
978-4-339-00802-9
薄膜トランジスタ
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定価

3,300(本体3,000円+税)

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液晶テレビ,パソコン,携帯電話などのディスプレイ素子として近年発展目覚しい薄膜トランジスタ(TFT)の解説書。非晶質・多結晶シリコン,酸化物,有機によるTFTの原理,作製,評価を中心に,応用,将来にもふれる。

1. 序論
1.1 薄膜トランジスタ(TFT)とはなにか
1.2 TFT発展の歴史
 1.2.1 TFTの始まり
 1.2.2 ディスプレイへの応用展開
 1.2.3 TFT発展の理由
2. TFTの動作原理
2.1 基本的な動作原理
 2.1.1 基本構造
 2.1.2 電界効果
 2.1.3 電流電圧特性
2.2 基礎知識
 2.2.1 キャリア密度
 2.2.2 キャリア輸送
2.3 捕獲準位
 2.3.1 帯電型とエネルギー分布
 2.3.2 空間分布
2.4 より詳しい動作原理
 2.4.1 基本構造
 2.4.2 電界効果
 2.4.3 容量電圧特性
 2.4.4 電流電圧特性
 2.4.5 その他の現象
2.5 種々のTFT
 2.5.1 多結晶シリコンTFT
 2.5.2 非晶質シリコンTFT
 2.5.3 有機TFT
 2.5.4 酸化物TFT
3. TFT作製技術
3.1 トップゲート構造およびボトムゲート構造
3.2 水素化非晶質シリコンTFT作製技術
 3.2.1 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスの主な特徴
 3.2.2 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスにおけるガス圧力の効果
 3.2.3 プラズマパラメータの予測と大面積化時の課題
 3.2.4 プラズマCVD
3.3 多結晶シリコンTFT作製技術
 3.3.1 洗浄技術
 3.3.2 多結晶シリコン膜形成技術
 3.3.3 ゲート絶縁膜形成技術
 3.3.4 ドーピング技術
3.4 有機TFT作製技術
 3.4.1 素子構造
 3.4.2 チャネル領域形成法
 3.4.3 ゲート絶縁層形成法
 3.4.4 ソース・ドレイン電極形成法
3.5 酸化物TFT作製技術
4. 評価技術
4.1 膜厚
 4.1.1 接触式膜厚測定法
 4.1.2 非接触式膜厚測定法:電子顕微鏡
 4.1.3 非接触式膜厚測定法:光学顕微鏡
 4.1.4 非接触式膜厚測定法:光学スペクトル
 4.1.5 非接触式膜厚測定法:エリプソメトリー
 4.1.6 非接触式膜厚測定法:X線反射率スペクトルと薄膜の密度
 4.1.7 その場測定法
4.2 構造評価
 4.2.1 XRD:長距離秩序,格子ひずみ,結晶子径
 4.2.2 X線散乱,EXAFS:短距離秩序,中距離秩序
 4.2.3 その他の回折による構造評価
 4.2.4 顕微鏡による微構造評価
4.3 組成分析
 4.3.1 水素の分析
 4.3.2 欠陥評価
4.4 光学評価
 4.4.1 エリプソメトリー
 4.4.2 赤外分光
 4.4.3 ラマン散乱分光
4.5 電気特性
 4.5.1 四端子法と四探針法
 4.5.2 ホール効果測定
 4.5.3 深いエネルギー準位の電気的評価法
5. TFTの劣化現象と信頼性評価技術
5.1 非晶質シリコンTFTにおける劣化現象
 5.1.1 しきい値電圧のシフト
 5.1.2 光劣化現象
5.2 低温多結晶シリコンTFTにおける劣化現象
 5.2.1 ホットキャリア劣化
 5.2.2 発熱による劣化
 5.2.3 信頼性向上技術
5.3 酸化物TFTにおける劣化現象
6. TFTの応用技術
6.1 TFTのディスプレイ応用
 6.1.1 液晶ディスプレイ(LCD)
 6.1.2 有機EL(OLED)ディスプレイ
 6.1.3 電子ペーパー
6.2 TFTのセンサ応用
 6.2.1 フォトセンサ
 6.2.2 X線センサ
 6.2.3 撮像デバイス
 6.2.4 その他のセンサ
7. TFTの将来技術
7.1 映像ディスプレイ用TFT技術の将来
7.2 フレキシブルディスプレイ用TFT技術の将来

引用・参考文献
索引

amazonレビュー

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神谷 利夫(カミヤ トシオ)

鮫島 俊之(サメシマ トシユキ)

木村 睦(キムラ ムツミ)

清水 耕作(シミズ コウサク)

中村 雅一

中村 雅一(ナカムラ マサカズ)

1965年8月10日生まれ。
1988年 大阪大学基礎工学部電気工学科 卒業、1990年 大阪大学基礎工学研究科物理系専攻 博士前期課程 修了、1997年 博士(工学)大阪大学
1990年 (株)東レリサーチセンター構造化学研究部・研究員として二次イオン質量分析法による半導体中のドーパント分布評価などの研究に従事、1994年 アトムテクノロジー研究体(JRCAT)出向・徳本グループ研究員として基板表面原子配列制御による有機薄膜の配向制御および走査型プローブ顕微鏡を用いた有機薄膜の構造・物性評価に関する研究に従事、1997年 (株)東レリサーチセンター復職 表面科学研究部・研究員(SPMグループリーダー)として走査型プローブ顕微鏡による半導体のドーパント二次元分布定量評価などの研究に従事、2000年 千葉大学工学部 准教授として有機薄膜トランジスタの作製法と物性研究および走査型プローブ顕微鏡による局所電気物性評価に関する研究に従事、2011年 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域・教授、現在に至る。現在の研究は、有機エレクトロニクス全般であり、現在、有機系熱電材料、電荷輸送および熱輸送に関する計測/評価、有機トランジスタ、有機太陽電池の研究を進めている。

この間、プリンストン大学 Visiting Fellow、分子科学研究所 客員教授、名古屋大学、京都大学、北海道大学 非常勤講師を務めている。また、学教会活動としては、日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会 運営委員、応用物理学会 講演会プログラム委員、講演会企画運営委員(有機分子・バイオエレクトロニクス大分類プログラム委員代表)、理事(機関誌編集委員長)、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 常任幹事、薄膜・表面物理分科会 幹事、Japanese Journal of Applied Physics 編集委員、日本表面科学会 会誌編集委員、日本表面真空学会 協議員、電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究専門委員会 委員、薄膜材料・デバイス研究会 組織委員、表面化学分析技術国際標準化委員会(JSCA) SPM WG 委員などを務めている。

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