薄膜トランジスタ

薄膜トランジスタ

液晶テレビ,パソコン,携帯電話などのディスプレイ素子として近年発展目覚しい薄膜トランジスタ(TFT)の解説書。非晶質・多結晶シリコン,酸化物,有機によるTFTの原理,作製,評価を中心に,応用,将来にもふれる。

ジャンル
発行年月日
2008/11/21
判型
A5
ページ数
240ページ
ISBN
978-4-339-00802-9
薄膜トランジスタ
在庫僅少

定価

3,300(本体3,000円+税)

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液晶テレビ,パソコン,携帯電話などのディスプレイ素子として近年発展目覚しい薄膜トランジスタ(TFT)の解説書。非晶質・多結晶シリコン,酸化物,有機によるTFTの原理,作製,評価を中心に,応用,将来にもふれる。

1. 序論
1.1 薄膜トランジスタ(TFT)とはなにか
1.2 TFT発展の歴史
 1.2.1 TFTの始まり
 1.2.2 ディスプレイへの応用展開
 1.2.3 TFT発展の理由
2. TFTの動作原理
2.1 基本的な動作原理
 2.1.1 基本構造
 2.1.2 電界効果
 2.1.3 電流電圧特性
2.2 基礎知識
 2.2.1 キャリア密度
 2.2.2 キャリア輸送
2.3 捕獲準位
 2.3.1 帯電型とエネルギー分布
 2.3.2 空間分布
2.4 より詳しい動作原理
 2.4.1 基本構造
 2.4.2 電界効果
 2.4.3 容量電圧特性
 2.4.4 電流電圧特性
 2.4.5 その他の現象
2.5 種々のTFT
 2.5.1 多結晶シリコンTFT
 2.5.2 非晶質シリコンTFT
 2.5.3 有機TFT
 2.5.4 酸化物TFT
3. TFT作製技術
3.1 トップゲート構造およびボトムゲート構造
3.2 水素化非晶質シリコンTFT作製技術
 3.2.1 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスの主な特徴
 3.2.2 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスにおけるガス圧力の効果
 3.2.3 プラズマパラメータの予測と大面積化時の課題
 3.2.4 プラズマCVD
3.3 多結晶シリコンTFT作製技術
 3.3.1 洗浄技術
 3.3.2 多結晶シリコン膜形成技術
 3.3.3 ゲート絶縁膜形成技術
 3.3.4 ドーピング技術
3.4 有機TFT作製技術
 3.4.1 素子構造
 3.4.2 チャネル領域形成法
 3.4.3 ゲート絶縁層形成法
 3.4.4 ソース・ドレイン電極形成法
3.5 酸化物TFT作製技術
4. 評価技術
4.1 膜厚
 4.1.1 接触式膜厚測定法
 4.1.2 非接触式膜厚測定法:電子顕微鏡
 4.1.3 非接触式膜厚測定法:光学顕微鏡
 4.1.4 非接触式膜厚測定法:光学スペクトル
 4.1.5 非接触式膜厚測定法:エリプソメトリー
 4.1.6 非接触式膜厚測定法:X線反射率スペクトルと薄膜の密度
 4.1.7 その場測定法
4.2 構造評価
 4.2.1 XRD:長距離秩序,格子ひずみ,結晶子径
 4.2.2 X線散乱,EXAFS:短距離秩序,中距離秩序
 4.2.3 その他の回折による構造評価
 4.2.4 顕微鏡による微構造評価
4.3 組成分析
 4.3.1 水素の分析
 4.3.2 欠陥評価
4.4 光学評価
 4.4.1 エリプソメトリー
 4.4.2 赤外分光
 4.4.3 ラマン散乱分光
4.5 電気特性
 4.5.1 四端子法と四探針法
 4.5.2 ホール効果測定
 4.5.3 深いエネルギー準位の電気的評価法
5. TFTの劣化現象と信頼性評価技術
5.1 非晶質シリコンTFTにおける劣化現象
 5.1.1 しきい値電圧のシフト
 5.1.2 光劣化現象
5.2 低温多結晶シリコンTFTにおける劣化現象
 5.2.1 ホットキャリア劣化
 5.2.2 発熱による劣化
 5.2.3 信頼性向上技術
5.3 酸化物TFTにおける劣化現象
6. TFTの応用技術
6.1 TFTのディスプレイ応用
 6.1.1 液晶ディスプレイ(LCD)
 6.1.2 有機EL(OLED)ディスプレイ
 6.1.3 電子ペーパー
6.2 TFTのセンサ応用
 6.2.1 フォトセンサ
 6.2.2 X線センサ
 6.2.3 撮像デバイス
 6.2.4 その他のセンサ
7. TFTの将来技術
7.1 映像ディスプレイ用TFT技術の将来
7.2 フレキシブルディスプレイ用TFT技術の将来

引用・参考文献
索引

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