科学技術と共に歩む

1　原子と電子
　1・1　物質の構造
　1・2　原子の構造
　1・3　元素の周期表と電子の配置
　1・4　量子力学よりみた原子の構造模形
　1・5　電子のスピン
　問題
2　固体の構造
　2・1　結晶
　2・2　結晶系
　2・3　結合の形式
　　2・3・1　イオン結合
　　2・3・2　金属結合
　　2・3・3　共有結合
　　2・3・4　水素結合
　2・4　固体の性質
　　2・4・1　帯理論
　　2・4・2　結晶内の電子エネルギー
　　2・4・3　有効質量
　　2・4・4　フェルミ・ディラックの分布関数
　　2・4・5　フェルミ準位
　　2・4・6　接触電位差
　2・5　金属の帯構造と性質
　2・6　絶縁物の帯構造と性質
　問題
3　半導体
　3・1　半導体の種類と基礎的な性質
　　3・1・1　固有半導体
　　3・1・2　外因形半導体
　　3・1・3　不純物半導体
　　3・1・4　過剰形半導体と不足形半導体
　　3・1・5　トラップと再結合中心
　　3・1・6　フェルミ準位
　3・2　少数キャリア
　　3・2・1　熱平衡濃度
　　3・2・2　過剰の少数キャリアを注入した場合
　　3・2・3　少数キャリアによる電流
　3・3　半導体における光導電効果
　　3・3・1　光導電の機構
　　3・3・2　光導電体の感度
　3・4　半導体における熱電効果
　　3・4・1　熱電効果
　　3・4・2　半導体における熱電効果
　3・5　半導体におけるホール効果
　　3・5・1　ホール電圧
　問題
4　接触および接合における現象
　4・1　金属と金属の接触
　　4・2・1　金属とn形半導体の接触
　　4・2・2　金属とp形半導体の接触
　4・3　pn接合
　　4・3・1　遷移領域の解法
　　4・3・2　pn接合における不純物分布の形の障壁容量への影響
　　4・3・3　遷移領域の降伏現象
　　4・3・4　pn接合の電圧電流特性
　問題
5　ルミネセンス
　5・1　ルミネセンス
　5・2　ルミネセンスの発光機構
　　5・2・1　特性ルミネセンス
　　5・2・2　非特性ルミネセンス
　5・3　エレクトロルミネセンス
　　5・3・1　概説
　　5・3・2　ELセル
　　5・3・3　発光特性
　　5・3・4　EL の発光機構
　問題
6　強誘電体
　6・1　基礎的な事項
　6・2　局所電界
　6・3　誘電損と誘電分極
　6・4　固体誘電体のイオン導電率
　6・5　固体誘電体の破壊
　　6・5・1　熱的な破壊
　　6・5・2　衝突電離
　　6・5・3　気体放電による破壊
　6・6　強誘電体
　6・7　圧電気
　6・8　強誘電体の種類とその性質
　　6・8・1　ロシェル塩
　　6・8・2　りん酸カリ
　　6・8・3　チタン酸バリウム
　　6・8・4　光学的強誘電体
　問題
7　強磁性体
　7・1　基礎的な事項
　7・2　強磁性
　　7・2・1　磁区とキュリー点
　　7・2・2　強磁性の理論
　7・3　フェライトの磁性（フェリ磁性）
　7・4　磁気ひずみ（磁歪）
　7・5　磁気共鳴
　　7・5・1　g係数
　　7・5・2　磁気共鳴吸収
　　7・5・3　サイクロトロン共鳴
　7・6　強磁性薄膜
　問題
8　光電装置
　8・1　光起電池
　　8・1・1　セレン光電池
　　8・1・2　亜酸化銅光電池
　8・2　太陽電池
　　8・2・1　pn接合の光起電効果
　　8・2・2　太陽電池の構造と特性
　　8・2・3　太陽電池の改良
　8・3　ホトトランジスタ
　　8.3.1　ホトダイオード
　　8.3.2　ホトトランジスタ
　8・4　光導電セル
　　8・4・1　硫化カドミウムセル
　　8・4・2　赤外用光導電セル
　8・5　エレクトロルミネセンス
　　8・5・1　電子照明
　　8・5・2　光電子回路
　　8・5・3　光増幅器と映像反転増幅器
　　8・5・4　EL表示板
　問題
9　非線形素子
　9・1　サーミスタ
　　9・1・1　導電機構
　　9・1・2　動作特性
　　9・1・3　過渡特性
　　9・1・4　実際のサーミスタ
　　9・1・5　サーミスタの応用
　9・2　ポジスタ
　9・3　バリスタ
　9・4　整流器とダイオード
　　9・4・1　整流器についての概説
　　9・4・2　ダイオードについての概説
　　9・4・3　金属整流器
　　9・4・4　pn接合形整流器
　　9・4・5　検波用ダイオード
　9・5　負性抵抗素子および制御整流素子
　　9・5・1　pnpnスイッチ
　　9・5・2　制御整流器
　9・6　特殊ダイオード
　　9・6・1　ツェナダイオード
　　9・6・2　エサキダイオード
　　9・6・3　マイクロ波用ダイオード
　問題
10　トランジスタ
　10・1　トランジスタの歴史
　10・2　点接触形トランジスタ
　10・3　接合トランジスタ
　　10・3・1　概説
　　10・3・2　トランジスタの等価回路
　　10・3・3　トランジスタの定常状態の動作
　　10・3・4　トランジスタの動作
　　10・3・5　低周波トランジスタの製法
　10・4　高周波トランジスタ
　　10・4・1　α-しゃ断電流
　　10・4・2　高周波トランジスタの構造
　　10・4・3　大振幅動作特性
　10・5　電力用トランジスタ
　　10・5・1　トランジスタの動作についての熱的考察
　　10・5・2　電力用トランジスタの構造
　10・6　電界効果トランジスタ
　　10・6・1　概説
　　10・6・2　テクネトロン
　　10・6・3　アルカトロン
　　10・6・4　薄膜トランジスタ（TFT）
　　10・6・5　電界効果トランジスタ
　問題
11　低温電子工学
　11・1　極低温
　11・2　超電導現象とその応用
　　11・2・1　超電導現象
　　11・2・2　クライオトロン
　　11・2・3　超電導記憶素子
　　11・2・4　トンネルトロン
　　11・2・5　超電導電磁石
　　11・2・6　クライオジャイロ（クライオベアリング）
　11・3　クライオサ
　11・4　量子エレクトロニクス
　　11・4・1　メーザの原理
　　11・4・2　気体のメーザ
　　11・4・3　固体のメーザ
　　11・4・4　レーザ（光メーザ）
　11・5　メーバ
　問題
12　熱電効果の応用
　12・1　熱電発電
　12・2　電子冷却
　12・3　電子暖房
　12・4　熱電材料
　　12・4・1　電子冷却用材料
　　12・4・2　熱電発電用材料
　問題
13　半導体のその他の応用
　13・1　磁気・電気変換の応用
　　13・1・1　ホール効果
　　13・1・2　ホール発電器材料
　　13・1・3　ホール発電器の特性
　　13・1・4　ホール発電器の応用
　13・2　力電変換の応用
　　13・2・1　半導体ひずみ計
　　13・2・2　半導体の圧電効果
　　13・2・3　半導体による超音波の増幅
　13・3　マイクロエレクトロニクス
　　13・3・1　小形化
　　13・3・2　マイクロモジュール
　　13・3・3　固体回路
　13・4　電子写真
　　13・4・1　電子写真の原理
　　13・4・2　電子写真用材料
　　13・4・3　電子写真の応用
　問題
14　半導体の調製、精製および加工
　14・1　状態図
　14・2　帯域融解法
　　14・2・1　帯域精製
　　14・2・2　ゾーンレベリング
　14・3　単結晶の製作
　　14・3・1　引上げ法
　　14・3・2　気相法
　　14・3・3　融解法
　14・4　pn接合の製作
　　14・4・1　アクセプタあるいはドナとなる不純物
　　14・4・2　成長接合
　　14・4・3　合金法
　　14・4・4　拡散法
　　14・4・5　二重拡散法
　14・5　エッチング
　　14・5・1　エッチング
　　14・5・2　ホトエッチング
　14・6　集積回路
　問題
付録
追補　1.　フェルミ・ディラック統計（続2・4・4）
追補　2.　pn接合（続4・3）
追補　3.　ヘトロ接合（第4章、第8章参照用）
追補　4.　マイクロ波用ダイオード（9・6・3相当）
追補　5.　npnトランジスタ（続10・3・3）
追補　6.　プレーナ形トランジスタ（続10・4・2）
追補　7.　電界効果トランジスタ（10・6・5相当）
追補　8.　集積回路（14・6相当）
問題解答と手引
参考書
索引