科学技術と共に歩む

1.　デバイスの極限と機能デバイス　（菅田孝之）
　1.1　はじめに
　1.2　超高速論理デバイスの限界
　1.3　超高密度集積回路用デバイスの限界
　1.4　機能デバイスの役割
2.　電荷転送デバイス（CTD） (水島宜彦)
　2.1　はじめに
　2.2　電荷転送デバイスの構成と原理
　　2.2.1　CCDの原理
　　2.2.2　CCDの代表的構成
　　2.2.3　周辺回路と技術
　2.3　CCDの転送特性
　　2.3.1　転送電荷量
　　2.3.2　転送効率と遅延時間
　　2.3.3　暗電流
　　2.3.4　雑音
　2.4　高密度メモリ
　　2.4.1　メモリの本質
　　2.4.2　構成
　2.5　イメージセンサ
　　2.5.1　一次元のリニアイメージセンサ
　　2.5.2　二次元エリアセンサ
　　2.5.3　イメージセンサの性能
　　2.5.4　赤外センサ
　2.6　信号処理
　　2.6.1　可変遅延デバイス
　　2.6.2　フィルタ、相関器
　2.7　論理演算
3.　バイポーラ機能デバイス（I2L)　(玉真昭男)
　3.1　はじめに
　3.2　I2Lの誕生
　3.3　I2Lの基本構造と動作原理
　3.4　I2Lの特性
　　3.4.1　電流増幅率
　　3.4.2　特性周波数
　　3.4.3　電力・遅延時間特性
　3.5　I2Lの進歩
　　3.5.1　消費電力の低減
　　3.5.2　高速化の手法
　　3.5.3　サブナノセカンドI2L
　3.6　I2Lの応用
　　3.6.1　メモリ
　　3.6.2　マイクロプロセッサ
　　3.6.3　その他の応用
　3.7　MOSとの比較
　3.8　まとめ
4.　静電誘導形機能デバイス（SIT)(玉真　昭男）
　4.1　はじめに
　4.2　SITの動作原理
　4.3　SITL
　4.4　SITM
　4.5　イメージセンサ
　4.6　まとめ
5.　プラズマ結合形デバイス（PCD)(山本　庸介）
　5.1　はじめに
　5.2　プラズマ結合効果
　5.3　PCD論理ゲートとその応用
　5.4　PCDシフトレジスタとその応用
　5.5　PCDイメージセンサ
　5.6　まとめ、PCDの特徴と可能性
6.　化合物半導体超高速機能デバイス（菅田　孝之）
　6.1　はじめに
　6.2　ガン効果機能デバイス
　　6.2.1　電気二重層の諸特性と機能デバイス
　　6.2.2　ガン効果機能デバイスの基本特性
　　6.2.3　パルス再生・増幅・発生機能デバイス
　　6.2.4　論理機能デバイス
　　6.2.5　ガン効果機能デバイスの製造
　6.3　複合機能デバイス
　　6.3.1　GaAs-FETとその集積回路
　　6.3.2　GEDDとMES-FETとの複合集積回路
　6.4　超高速集積回路の動向
7.　光機能デバイス（菅田　孝之）
　7.1　はじめに
　7.2　光情報処理機能デバイス
　　7.2.1　光情報処理の特徴
　　7.2.2　光ディジタル演算
　　7.2.3　光アナログ演算
　　7.2.4　ホログラフィ
　7.3　光通信と光集積回路
　　7.3.1　ストリップ導波管と光受動素子
　　7.3.2　光能動機能デバイス
　　7.3.3　複合機能光集積回路
8.　磁気バブルデバイス（武田　秋津）
　8.1　はじめに
　8.2　バブルの安定条件
　8.3　バブル材料
　8.4　バブル回路
　　8.4.1　転送回路
　　8.4.2　発生・消去回路
　　8.4.3　拡大回路
　　8.4.4　分割とラッチ回路
　　8.4.5　検出回路
　　8.4.6　論理回路
　8.5　バブル記憶装置
9.　超電導機能デバイス（稲村　隆弘）
　9.1　はじめに
　9.2　ジョゼフソン接合
　9.3　量子干渉効果
　9.4　ジョゼフソン接合理論ゲート
　9.5　ジョゼフソン接合記憶細胞
　9.6　磁束量子転送システム
　9.7　ジョゼフソン素子の評価
　　9.7.1　使用電力について
　　9.7.2　経済性について
　　9.7.3　物理的限界値
　　9.7.4　常温部分との相互接続
文献
索引