GaAs 電界効果トランジスタの基礎

GaAs 電界効果トランジスタの基礎

われわれの生活に直接恩恵をもたらすようになったGaAsFETについて,動作原理,設計法,試作例,マイクロ波帯での評価法などわかりやすく解説した。化合物半導体ICの研究・開発に携わる人々にも格好の参考書。

ジャンル
発行年月日
1992/02/01
判型
A5 上製
ページ数
254ページ
ISBN
978-4-88552-101-0
GaAs 電界効果トランジスタの基礎
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定価

4,015(本体3,650円+税)

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われわれの生活に直接恩恵をもたらすようになったGaAsFETについて,動作原理,設計法,試作例,マイクロ波帯での評価法などわかりやすく解説した。化合物半導体ICの研究・開発に携わる人々にも格好の参考書。

FET開発小史/FETの動作理論/FETの高周波化/FETのマイクロ波特性評価 /低雑音GaAsFET/低雑音HEMT/高出力GaAsFET

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