半導体デバイス

電気・電子工学大系 13

半導体デバイス

現代の産業の進歩を支えている半導体デバイスを,現在実用化されているものから将来実用化が予想される最先端技術まで,代表的なものはできるだけ多く採り上げて平易に解説。

ジャンル
発行年月日
1989/06/15
判型
A5 上製/箱入り
ページ数
252ページ
ISBN
978-4-339-00318-5
半導体デバイス
在庫僅少

定価

4,070(本体3,700円+税)

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現代の産業の進歩を支えている半導体デバイスを,現在実用化されているものから将来実用化が予想される最先端技術まで,代表的なものはできるだけ多く採り上げて平易に解説。

1. 半導体の電気的特性
 1・1 結晶構造
  1・1・1 半導体の結晶構造
  1・1・2 ミラー指数
 1・2 エネルギー帯構造
  1・2・1 禁制帯と許容帯
  1・2・2 SiとGaAsのエネルギー帯構造
  1・2・3 有効質量ー電子と正孔
 1・3 格子振動
 1・4 電子・正孔の密度
  1・4・1 キャリヤの統計
  1・4・2 真性半導体
  1・4・3 n形半導体とp 形半導体
 1・5 キャリヤの輸送と電気伝導
  1・5・1 ドリフト電流と移動度
  1・5・2 キャリヤの発生と再結合
  1・5・3 高電界効果
 1・6 デバイス解析の基本方程式
 演習問題
2. ダイオード
 2・1 ショットキー接合
  2・1・1 ショットキー接合特性と障壁の高さ
  2・1・2 容量ー電圧特性
  2・1・3 電流ー電圧特性
 2・2 オーム接触
 2・3 pn接合
  2・3・1 不均一半導体における中性領域と空間電荷層
  2・3・2 空乏層と空乏容量
  2・3・3 電流ー電圧特性
  2・3・4 接合の降伏
  2・3・5 電荷蓄積効果とスイッチング
 2・4 マイクロ波ダイオード
  2・4・1 トンネルダイオード
  2・4・2 ガンダイオード 
  2・4・3 インパットダイオード
 演習問題
3. MOS電界効果トランジスタ
 3.1 MOS構造の物理
  3.1.1 MOS構造のエネルギー帯
  3.1.2 表面空間電荷領域の解析
  3.1.3 MOS構造の界面電荷と容量特性
 3・2 MOSトランジスタの動作原理と特性
  3・2・1 構造と記号
  3・2・2 MOSトランジスタの動作と特徴
  3・2・3 短チャネル効果
 3・3 MOS集積回路デバイス
  3・3・1 MOS ICの構成素子とその分離
  3・3・2 MOSディジタル回路
  3・3・3 MOSメモリ
 演習問題
4. 接合形電界効果トランジスタ
 4・1 J FETの動作特性
  4・1・1 J FETの動作原理
  4・1・2 J FETの静特性
  4・1・3 J FETの高周波特性
 4・2 ショットキーゲート電界効果トランジスタ
  4・2・1 ショットキーゲート電界効果トランジスタの概要
  4・2・2 MES FETの構造
  4・2・3 MES FETの高電界効果
  4・2・4 論理回路用MES FET
 4・3 縦形 FET
 演習問題
5. バイポーラトランジスタ
 5・1 構造と動作原理
  5・1・1 構造
  5・1・2 動作原理
 5・2 スイッチ動作と増幅作用
  5・2・1 トランジスタのスイッチ動作
  5・2・2 トランジスタの増幅作用
 5・3 トランジスタの動作解析モデル
  5・3・1 能動領域における静特性
  5・3・2 エバース・モルのモデル
  5・3・3 微小信号交流モデル
 5・4 トランジスタの諸効果と動作限界
  5・4・1 アーリー効果
  5・4・2 低注入効果と高注入効果
  5・4・3 ベース走行時間
 5・5 バイポーラ論理回路
  5・5・1 バイポーラ集積回路
  5・5・2 ECL(emitter coupled logic)
  5・5・3 TTL
  5・5・4 IIL(L2L)
 演習問題
6. ヘテロ接合デバイス
 6・1 ヘテロ接合の概念
 6・2 混晶
  6・2・1 混晶とは何か
  6・2・2 混晶の性質
 6・3 ヘテロ接合のバンド不連続
 6・4 二次元電子ガス
 6・5 超格子
 6・6 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  6・6・1 ワイドギャップエミッタトランジスタ
  6・6・2 インバーストランジスタとワイドコレクタ構造
 6・7 高移動度トランジスタ
  6・7・1 選択ドープヘテロ接合
  6・7・2 HEMTの構造と特性
 6・8 量子井戸レーザ
 演習問題
7. 光半導体デバイス
 7・1 光の吸収と発光
  7・1・1 光の吸収
  7・1・2 発光再結合;自然発光
  7・1・3 誘電放出と光利得
 7・2 半導体レーザ
  7・2・1 レーザの動作原理
  7・2・2 半導体レーザの構造と発振条件
  7・2・3 半導体レーザの利得としきい値電流
  7・2・4 発振モード
  7・2・5 半導体レーザの発振波長帯と応用
 7・3 発光ダイオード
  7・3・1 表示用発光ダイオード
  7・3・2 通信用発光ダイオード
 7・4 受光デバイス
  7・4・1 光検出器の性能
  7・4・2 光導電素子
  7・4・3 ホトダイオード
  7・4・4 なだれ光ダイオード
 7・5 太陽電池
 演習問題
8. そのほかの半導体デバイス
 8・1 サイリスタ
  8・1・1 サイリスタのスイッチ作用
  8・1・2 逆阻止三端子サイリスタ(SCR)
  8・1・3 二方向サイリスタ
 8・2 撮像素子
 8・3 センサ
  8・3・1 温度センサ
  8・3・2 磁気センサ
  8・3・3 圧力センサ
  8・3・4 ガスセンサ
  8・3・5 イオンセンサ、バイオセンサ
 演習問題
参考文献
演習問題略解
索引

 

 

生駒 俊明(イコマ トシアキ)

勝部 昭明(カツベ テルアキ)