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書籍詳細

  技術者のための特許事始
- 半導体技術を中心として -

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角南英夫 広島大名誉教授 工博 著

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発行年月日:2008/01/11 , 判 型: A5,  ページ数:160頁

ISBN:978-4-339-07785-8,  定 価:2,160円 (本体2,000円+税)

ジャンル:

従来の特許出願手引き書とは趣を異にした随筆風特許入門書である。日米で300以上の特許を出願している著者が,自身の成功・失敗をもとに,特許に対する誤解を解き,特許取得のための心構えやノウハウをつづる。発明ドリル付き。

【目次】

1. 発明と特許について
1.1 知的財産権
1.2 特許の位置付け
 1.2.1 発明であること
 1.2.2 産業上利用できること
1. 発明と特許について
1.1 知的財産権
1.2 特許の位置付け
 1.2.1 発明であること
 1.2.2 産業上利用できること
 1.2.3 新規性があること,および進歩性があること
 1.2.4 拡大された先願の規定に反しないこと
1.3 先願と先発明
1.4 特許の価値
 1.4.1 技術的価値なんていらない
 1.4.2 特許性なんて後で理由付けするもの
 1.4.3 大切なのは,市場価値
1.5 顕現性重視の危うさ
1.6 公開技報とノウハウ
 1.6.1 公開技報
 1.6.2 ノウハウ
1.7 特許オリンピック ― 着手直後の大切さ ―

2. 特許の光と影2.1 表の主役と陰の主役
2.2 特許係争と特許交渉
 2.2.1 不問にして,なにも行動しない
 2.2.2 特許侵害訴訟を起こす
2.3 クロスライセンス
2.4 ビジネスモデル特許
2.5 サブマリン特許
2.6 特許に優るブランド力
2.7 ランハム法
2.8 侵害回避
 2.8.1 バイポーラトランジスタ
 2.8.2 トリニトロン
2.9 半導体チップ保護法

3. ケーススタディ:筆者の出願を中心に3.1 筆者の特許出願の歴史
3.2 トレンチキャパシタセルの発明
 3.2.1 発案 ― 垂直のエッチングからすべてが始まる
 3.2.2 トレンチキャパシタセル特許の権利化努力
 3.2.3 トレンチキャパシタセルの製品化失敗
 3.2.4 派生発明1:垂直チャネルのトランジスタ
 3.2.5 派生発明2:二層多結晶Si構造
 3.2.6 派生発明3:選択酸化膜被覆技術
3.3 CCDの改良
 3.3.1 入社2年後,特許に目覚める
 3.3.2 バイアス電荷移送方式の発案
 3.3.3 表面チャネルCCDの着想
 3.3.4 そのほかの着想
3.4 自己整合技術の展開
 3.4.1 溝チャネルトランジスタ
 3.4.2 自己整合接続
 3.4.3 側壁残留膜利用
 3.4.4 自己整合技術の限界

4. 銅鉄主義は大いに勧める
4.1 a + β + ハ
4.2 折り返しビット線配列
4.3 高温超伝導の応用
4.4 アイディア特許
 4.4.1 金属 - 気体 - 半導体トランジスタ
 4.4.2 電池亀の子集積回路
 4.4.3 積層集積回路
 4.4.4 ダブルゲートMOSトランジスタ

5. 強い特許を書くために
5.1 好奇力と展望力
5.2 教科書にもヒントが隠れている
5.3 識者の意見はありがたく拝聴し,場合によっては棚上げせよ
 5.3.1 トレンチキャパシタセルへの批判
 5.3.2 常識破りエンジンの小型ジェット機
 5.3.3 提案した光モジュレータ
5.4 使い勝手とシステム化
 5.4.1 ノートブック型コンピュータ
 5.4.2 銀行端末
 5.4.3 ハードウェアとソフトウェア
5.5 一人のアイディア,千人の生産
5.6 考える枠を拡げ,大きく羽ばたけ

6. 発明の記述ドリル
6.1 ゼムクリップ
6.2 箸使い補助具
6.3 折り畳み携帯電話
6.4 熱膨張しない金属
6.5 手ぶれ補正カメラ
6.6 消せるペン

7. 発明ドリル解答例
7.1 ゼムクリップ
7.2 箸使い補助具
7.3 折り畳み携帯電話
7.4 熱膨張しない材料
7.5 手ぶれ補正カメラ
7.6 消せるペン
7.7 熱膨張しない材料についてのまとめ
 
おわりに
引用・参考文献
補遺 角南関連 日本および米国特許出願リスト
索引

新社会人向け書籍・新入生向け書籍




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