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書籍詳細

  電気・電子材料デバイス実験

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電気学会 編・発行

佐藤耐

菅野卓雄 東大名誉教授・東洋大教授 工博 著

永田穰 元日立製作所技師長 著

西永頌 東大教授 工博 著

針生尚

渡辺英夫 仙台電波高専名誉教授 著

発行年月日:1980/04/15 , 判 型: A5,  ページ数:312頁

ISBN:978-4-339-00424-3,  定 価:5,940円 (本体5,500円+税)

ジャンル:

上記委員会が編集した大学教育用実験書である。今日最も社会から要求されている集積回路,MOSダイオードなどの製作技術の実験を,平易かつ丁寧に記述した。

【目次】

1. 実験を始める前に
 1-1 安全性に関する注意ー事故をおこさないためにー
  1-1-1 薬品を取り扱う際の注意
  1-1-2 高圧ボンベおよび減圧弁を取り扱う際の注意
  1-1-3 液体窒素を取り扱う際の注意
1. 実験を始める前に
 1-1 安全性に関する注意ー事故をおこさないためにー
  1-1-1 薬品を取り扱う際の注意
  1-1-2 高圧ボンベおよび減圧弁を取り扱う際の注意
  1-1-3 液体窒素を取り扱う際の注意
  1-1-4 電磁石を取り扱う際の注意
  1-1-5 電気炉を取り扱う際の注意
 1-2 共通機器の扱い方
  1-2-1 ガスボンベおよび減圧弁の操作手順
  1-2-2 イオン交換機の使い方
 1-3 技術的な注意と共通技術
  1-3-1 機器や材料などの純度
  1-3-2 反応管や容器の処理
  1-3-3 半導体ウェーハの前処理
  1-3-4 角度研摩の方法
  1-3-5 ステインエッチング
  1-3-6 半導体へのオーム性電極形成
 1-4 指導者の方々へ
  1-4-1 安全対策
  1-4-2 経費の問題と材料および機器の入手法
  1-4-3 電気炉の作成法
  1-4-4 反応系のガス配管の方法
  1-4-5 クライオスタットの準備
  1-4-6 反応管などの洗浄容器
  1-4-7 反応管の種類と設計
2. 材料作成技術
 2-1 結晶成長(西永頌)
  2-1-1 ゲルマニウムの気相エピタキシアル成長
  2-1-2 GaAsの液相エピタキシアル成長
  2-1-3 シリコンの気相エピタキシアル成長
 2-2 真空蒸着(菅野卓雄)
 2-3 低気圧放電・プラズマ・スパッタ技術(渡辺英夫・針正尚)
3. 物性測定
 3-1 半導体のホール効果(菅原昌敬)
 3-2 半導体の光学的性質(中井順吉)
 3-3 半導体中の少数キャリヤのライフタイムおよびドリフト移動度(菅原昌敬)
 3-4 誘電体(直江雅彦)
 3-5 磁性体(直江雅彦)
 3-6 ルミネセンス(伊藤貞夫)
 3-7 熱電子放出および熱電子管(菅野卓雄)
4. デバイス製作技術
 4-1 pn接合の製作(松波弘之)
 4-2 MOSデバイスの製作
  4-2-1 MOSダイオードの製作(菅野卓雄)
  4-2-2 MOS集積回路の製作(庄野克房)
5. デバイス特性の測定
 5-1 pn接合およびバイポーラトランジスタ(更家淳司・松波弘之)
  5-1-1 pn接合の特性
  5-1-2 バイポーラトランジスタの特性
 5-2 MOSデバイス
  5-2-1 MOSダイオード(菅野卓雄)
  5-2-2 MOS電界効果トランジスタ(菅野卓雄)
  5-2-3 MOS集積回路(庄野克房)
 5-3 レーザ(中井順吉)
 5-4 水遺跡回路(永田穣)
 5-5 電気音響変換デバイス(渡辺英夫・針生尚)
 5-6 マイクロ波発生デバイスーガン効果を中心としてー(西永頌)
6. 集積回路の使い方
 6-1 アナログICの使い方(永田穣)
 6-2 ディジタルICの使い方(佐藤耐・武石喜幸)
 6-3 LSIの使い方(佐藤耐・武石喜幸)
索引

在庫は時期によりまして変動することがございますので、ご了承ください。