科学技術と共に歩む

１．超高速デバイスと応用分野
　1.1　超高速動作電子機器とエレクトロニクス
　1.2　超高速デバイスの種類と進歩
　1.3　半導体デバイスの応用分野と集積度
　本章のまとめ
　理解度の確認

２．超高速デバイスの構造とその特徴
　2.1　トランジスタの動作と飽和速度
　　2.1.1　移動度と飽和速度
　　2.1.2　超高速デバイスに印加される電界
　2.2　真性トランジスタと寄生デバイス
　2.3　超高速デバイスの構造
　談話室　抵抗を下げる
　2.4　高速デバイス設計の指針
　本章のまとめ
　理解度の確認

３．超高速デバイス用材料と製造技術
　3.1　III-V族化合物半導体の物性とヘテロ接合
　　3.1.1　III-V族化合物半導体の物性
　　3.1.2　ヘテロ接合
　3.2　結晶成長技術と評価技術
　　3.2.1　結晶成長技術
　　3.2.2　半導体結晶評価技術
　3.3　シリコン基板への浅接合構造と形成技術
　　3.3.1　p形及びn形散層の浅接合化
　　3.3.2　浅接合化技術
　本章のまとめ
　理解度の確認

４．シリコンバイポーラトランジスタ
　4.1　バイポーラトランジスタの動作原理
　　4.1.1　一次元バイポーラトランジスタの直流電流と電流増幅率
　談話室　ガンメルプロット
　　4.1.2　バイポーラトランジスタのベース電流
　　4.1.3　寄生領域のトランジスタ性能への影響
　4.2　シリコンバイポーラトランジスタ
　　4.2.1　トランジスタ構造と不純物ドーピングプロファイル
　　4.2.2　ベース抵抗
　　4.2.3　多結晶シリコン技術の応用
　談話室　容量を下げる
　　4.2.4　多結晶シリコン応用微細化バイポーラトランジスタ
　　4.2.5　超高速シリコンバイポーラトランジスタ特有の高速化構造
　談話室　真性トランジスタ領域とコレクタ電流の流れる領域
　4.3　SiGeバイポーラトランジスタ
　　4.3.1　SiGe混晶組成比と不純物ドーピングプロファイル
　　4.3.2　SiGeバイポーラトランジスタの構造
　　4.3.3　電流成分と電流増幅率
　　4.3.4　トランジスタ性能と高周波パラメータ
　談話室　シングルへテロ接合とダブルへテロ接合の遮断周波数特性の比較
　本章のまとめ
　理解度の確認

５．化合物半導体電界効果トランジスタ
　5.1　MESFETとHEMT
　　5.1.1　MESFETとHEMTの構造の比較
　談話室　電子の速度オーバシュート
　　5.1.2　HEMTの小信号等価回路解析
　談話室　yパラメータの復習
　談話室　低雑音化の推移
　5.2　InP　HEMT
　　5.2.1　InPを基板とする高In組成HEMT
　　5.2.2　各種HEMTの特性
　5.3　高出力PHEMT
　　5.3.1　高出力PHEMTの構造
　　5.3.2　高出力PHEMTの特性
　本章のまとめ
　理解度の確認

６．化合物バイポーラトランジスタ
　6.1　GaAsHBT
　　6.1.1　HBTの構造と電流成分
　　6.1.2　HBTの小信号等価回路解析
　　6.1.3　AlGaAs/GaAsHBTとInGaP/GaAsHBT
　6.2　その他のHBT
　　6.2.1　InP　HBT
　　6.2.2　ダブルへテロ接合バイポーラトランジスタ
　　6.2.3　グレーデッド・ベースHBT
　6.3　HEMTとHBTの比較
　　6.3.1　高周波雑音と1/f雑音
　　6.3.2　投入電力密度とチップサイズ
　　6.3.3　その他の総合的比較
　本章のまとめ
　理解度の確認

７．超高速デバイスの基本回路とシステム応用
　7.1　ディジタル基本回路と性能
　　7.1.1　ECL回路
　　7.1.2　DCFL回路とSCFL回路
　7.2　超高速デバイスの性能比較
　7.3　超高速伝送用システムと回路
　7.4　ミリ波を用いたシステムと回路
　本章のまとめ

８．その他の超高速デバイス
　8.1　SiLDMOSFET
　　8.1.1　LDMOSFETの構造
　談話室　地殻の構成元素
　　8.1.2　LDMOSFETのマイクロ波出力特性
　談話室　LDMOSFETがGSMで用いられる理由
　8.2　ワイドギャップ高出力デバイス
　　8.2.1　GaNとSiCの物性
　談話室　GaN
　　8.2.2　ワイドギャップ高出力デバイスの特性
　本章のまとめ
　理解度の確認

引用・参考文献
理解度の確認；解説
索引