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書籍詳細

  積層材料技術

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発行年月日:1989/12/25 , 判 型: A5,  ページ数:472頁

ISBN:978-4-339-00572-1,  定 価:7,560円 (本体7,000円+税)

ジャンル:

最近の半導体デバイス技術の進歩に大きく貢献している薄膜の積層化技術を,その必要性,材料・構造選択,製作技術,評価技術の4点について各分野の第一級の研究者が執筆し,編集したもの。

【目次】

1. 積層構造の必要静とその問題点
 1.1 電子デバイスからみた積層構造(菅田孝之)
 1.2 光デバイスからみた積層構造(永井治男)
 1.3 OEICからみた積層構造(中村道治)
 1.4 新機能素子からみた積層構造(鶴島稔夫)
1. 積層構造の必要静とその問題点
 1.1 電子デバイスからみた積層構造(菅田孝之)
 1.2 光デバイスからみた積層構造(永井治男)
 1.3 OEICからみた積層構造(中村道治)
 1.4 新機能素子からみた積層構造(鶴島稔夫)
2. 材料選択および構造選択上の問題点
 2.1 半導体ー半導体構造
  2.1.1 構造的性質(川辺光央)
  2.1.2 電気的性質(冷水佐壽)
  2.1.3 光学的性質(石田俊正)
 2.2 半導体ー絶縁物構造
  2.2.1 構造的性質(浅野種正)
  2.2.2 電気的性質(三橋順一、西村正)
 2.3 金属ー半導体構造(平木昭夫)
 2.4 金属ー絶縁物構造(岩田誠一)
3. 積層構造の製作技術における問題点
 3.1 製膜技術
  3.1.1 膜質を支配する真性要因と技術的要因
  (1) 半導体上の半導体薄膜の場合(河東田隆)
  (2) 高融点金属膜(及川秀男)
  (3) アモルファス半導体(小長井誠)
  3.1.2 物理的たい積法
  (1) MBE(白木靖寛)
  (2) ICB(山田公)
  3.1.3 化学的たい積法(伊藤仁、守屋孝彦)
  3.1.4 製膜装置から見た問題点(清水三郎)
 3.2 Modification技術
  3.2.1 再結晶化
  (1) 溶融再結晶化(赤坂洋一)
  (2) 固相結晶化(石原宏)
  3.2.2 ドーピング
  (1) Si へのドーピング(田村誠男)
  (2) 3-5化合物半導体へのドーピング(冷水佐壽)
  3.2.3 化合物形成(物理的改質)(金山敏彦)
  3.2.4 酸化・窒化(化学的改質)(平山誠)
 3.3 積層加工技術
  3.3.1 平たん化(岡村秀和)
  3.3.2 自己整合(柴田直)
  3.3.3 微細加工(蒲生健次)
4. 積層材料および積層構造の評価技術における問題点
 4.1 固体組成および不純物の3次元局所分析
  4.1.1 深さ方向分解能
  (1) 単原子層レベルの表面評価(藤本文範)
  (2) スパッタプロファイルの限界(清水肇)
  4.1.2 検出感度および定量解析
  (1) イオンプローブにおける検出限界(田村一二三)
  (2) 電子分光における定量性(小野雅敏、井上知泰、鈴木摂)
 4.2 構造的性質の微視的観察
  4.2.1 電子顕微鏡による評価(堀内繁雄)
  4.2.2 イオンによる評価
  (1) 高エネルギーイオン分光法(成沢忠)
  (2) アトムプローブ(西川治)
  4.2.3 x線による評価(藤本勲)
  4.2.4 光学的評価
  (1) 超格子構造の光学的評価(岡本紘)
  (2) レーザラマン分光法(河東田隆)
 4.3 積層構造の物性評価
  4.3.1 電気的特性(吉田貞史)
  4.3.2 超格子構造(量子井戸構造)の光学的特性(岡本紘)
  4.3.3 応力(中島信一)
 4
.4 評価技術としてのモデリングの応用
  4.4.1 結晶模型による構造的性質のシミュレーション(大泊巌)
  4.4.2 積層構造の熱シミュレーション(木場正義、森下賢幸)

在庫は時期によりまして変動することがございますので、ご了承ください。