科学技術と共に歩む

1.　結晶概説
　1・1　物質の相について
　1・2　理想結晶と実在の結晶
2.　結晶の評価法
　2・1　結晶評価の原理（基礎的方法）
　2・2　その他の評価法
3.　結晶中の欠陥の評価
　3・1　結晶中の欠陥
　　3・1・1　面欠陥・積層欠陥
　　3・1・2　線欠陥・転位
　　3・1・3　点欠陥と不純物
　3・2　完全に近い結晶中の欠陥
　　3・2・1　成長じま
　　3・2・2　スワール
　3・3　レーザアニールによる結晶の完全性
第1部
　4.　X線回折法による結晶の評価
　　4・1　多結晶における回折法と解析
　　　4・1・1　多結晶による回折（粉末法）と実験方法の原理
　　　4・1・2　粉末試料の作製
　　　4・1・3　粉末法による回折線の解析
　　　4・1・4　粉末法による物質の同定法
　　　4・1・5　正確な格子定数の決定
　　　4・1・6　多結晶の構造
　　4・2　単結晶における回折法と解析
　　　4・2・1　ラウエ法による結晶方位の決定
　　　4・2・2　単結晶用のX線写真法
　　　4・2・3　単結晶ディフラクトメータ法
　　　4・2・4　小角散乱法
　　4・3　X線回折顕微法（X線トポグラフィー）
　　　4・3・1　回折顕微法の原理
　　　4・3・2　回折顕微法の種類と特徴
　　4・4　X線干渉計
　5.　電子線回折法および電子顕微法による結晶の評価
　　5・1　電子線概説
　　5・2　高速電子回折法（THEED,RHEED）
　　　5・2・1　電子線回折の原理
　　　5・2・2　多結晶による回折
　　　5・2・3　単結晶による回折
　　5・3　透過電子顕微法
　　　5・3・1　完全に近い結晶
　　　5・3・2　格子欠陥がある場合
　　　5・3・3　モアレじま
　　　5・3・4　格子像
　　5・4　電子線による結晶表面の解析
　　　5・4・1　低速電子回折法（LEED）
　　　5・4・2　最近の話題
　6.　光学的方法による結晶評価
　　6・1　光学の基礎
　　　6・1・1　偏光
　　　6・1・2　屈折率だ円体と結晶の分類
　　　6・1・3　顕微鏡と光学素子
　　6・2　偏光解析法
　　　6・2・1　原理と解析方法
　　　6・2・2　装置と測定精度
　　6・3　偏光顕微法
　　　6・3・1　オルソスコープ観察
　　　6・3・2　コノスコープ観察
　　6・4　位相差顕微法
　　　6・4・1　原理
　　　6・4・2　装置
　　6・5　微分干渉顕微法
　　　6・5・1　原理
　　　6・5・2　像の特徴
第2部
　7.　イオンの後方散乱法による結晶評価
　　7・1　後方散乱法の原理
　　　7・1・1　高エネルギーイオンの受ける散乱
　　　7・1・2　イオンの軸チャネリング
　　7・2　後方散乱装置
　　　7・2・1　高エネルギーイオンビーム系
　　　7・2・2　エネルギー分析系
　　　7・2・3　エネルギー分析系の分解能
　　　7・2・4　その他
　　7・3　後方散乱法の応用
　　　7・3・1　ランダム状態
　　　7・3・2　アライン状態
　　7・4　後方散乱法の問題点
　8.　オージエ電子分光法による結晶評価
　　8・1　オージエ電子分光法の基礎
　　　8・1・1　測定原理
　　　8・1・2　化学効果
　　　8・1・3　定量分析
　　8・2　装置および検出感度
　　　8・2・1　検出限界
　　　8・2・2　深さ方向元素分布
　　　8・2・3　装置
　　8・3　オージエ電子分光法の応用
　　　8・3・1　薄膜生成過程の解析
　　　8・3・2　不純物のドーピングプロファイル
　　　8・3・3　絶縁膜中の不純物濃度測定
　　　8・3・4　薄膜組成の解析
　　　8・3・5　金属膜の解析
　9.　ホトルミネセンス法による結晶評価
　　9・1　ホトルミネセンス法
　　9・2　測定装置と実験技術
　　9・3　測定装置の構成
　　9・4　ホトルミネセンススペクトルの実測例
　　　9・4・1　GaAsとGaP
　　　9・4・2　Si
　10.　C-V測定法と不純物の濃度分布測定
　　10・1　測定原理
　　10・2　MIS構造でのC-V法
　　10・3　C-Vプロファイル自動測定
　　　10・3・1　ディジタルC-V測定法
　　　10・3・2　アナログ電子回路を用いた自動測定
　　10・4　C-Vプロファイルと不純物濃度分布
　　　10・4・1　電荷中性条件の不成立
　　　10・4・2　C-V測定の計算シミュレーション
　　　10・4・3　空乏近似とデバイ長
　　10・5　深い準位とC-Vプロファイル
　　　10・5・1　空乏層中の深い準位
　　　10・5・2　C-Vプロファイルに及ぼす深い準位の影響
　　　10・5・3　深い準位を含む半導体でのプロファイル測定例
文献
索引